Das BYD Jinan Semiconductor Project ist eine milliardenschwere Initiative im Bereich der Leistungshalbleiter, die sich auf die Forschung und Entwicklung sowie die Fertigung von IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) und Siliziumkarbid-Chips (SiC) in Automobilqualität konzentriert. Es wurde entwickelt, um Lieferkettenengpässe zu beheben und umfasst eine 8-Zoll-Wafer-Produktionslinie.
Die massive Initiative dient als Eckpfeiler der vertikal integrierten Lieferkette für Elektrofahrzeuge (EV) von BYD und liefert wichtige Hochleistungschips direkt an die schnell expandierenden NEV-Aktivitäten.
