Proyek Semikonduktor BYD Jinan adalah inisiatif semikonduktor daya bernilai miliaran yuan yang berfokus pada penelitian dan pengembangan serta pembuatan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) dan chip silikon karbida (SiC) kelas otomotif. Dirancang untuk mengurangi kekurangan rantai pasokan, proyek ini mencakup jalur produksi wafer 8 inci.
Inisiatif besar ini berfungsi sebagai landasan rantai pasokan kendaraan listrik (EV) terintegrasi vertikal BYD, memasok chip berdaya tinggi yang sangat penting langsung ke operasi NEV mereka yang berkembang pesat.
