El proyecto de semiconductores BYD Jinan es una iniciativa multimillonaria en el sector de semiconductores de potencia, centrada en la investigación, el desarrollo y la fabricación de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y chips de carburo de silicio (SiC) para la industria automotriz. Diseñado para paliar la escasez en la cadena de suministro, incluye una línea de producción de obleas de 8 pulgadas.
Esta iniciativa de gran envergadura constituye una piedra angular de la cadena de suministro de vehículos eléctricos (VE) integrada verticalmente de BYD, ya que suministra chips de alta potencia cruciales directamente a sus operaciones de vehículos de nueva energía (VNE) en rápida expansión.
