O Projeto de Semicondutores BYD Jinan é uma iniciativa multimilionária em yuans focada na pesquisa e desenvolvimento e na fabricação de IGBTs (Transistores Bipolares de Porta Isolada) e chips de carbeto de silício (SiC) de nível automotivo. Projetado para aliviar a escassez na cadeia de suprimentos, inclui uma linha de produção de wafers de 8 polegadas.
Essa iniciativa de grande porte serve como pedra angular da cadeia de suprimentos de veículos elétricos (VE) verticalmente integrada da BYD, fornecendo chips de alta potência essenciais diretamente para suas operações de NEV (veículos de nova energia) em rápida expansão.
