پروژه نیمههادی BYD جینان یک طرح چند میلیارد یوانی نیمههادی قدرت است که بر تحقیق و توسعه و تولید IGBT (ترانزیستورهای دوقطبی با گیت عایق) و تراشههای کاربید سیلیکون (SiC) در سطح خودرو تمرکز دارد. این پروژه که برای کاهش کمبودهای زنجیره تأمین طراحی شده است، شامل یک خط تولید ویفر ۸ اینچی میشود.
این ابتکار عظیم به عنوان سنگ بنای زنجیره تأمین خودروهای الکتریکی (EV) شرکت BYD که به صورت عمودی یکپارچه شده است، عمل میکند و تراشههای پرقدرت حیاتی را مستقیماً برای عملیات رو به رشد NEV آنها تأمین میکند.
