Le projet BYD Jinan Semiconductor est une initiative de plusieurs milliards de yuans axée sur la recherche et le développement ainsi que sur la fabrication de semi-conducteurs de puissance IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) de qualité automobile et de puces en carbure de silicium (SiC). Conçu pour pallier les pénuries d'approvisionnement, il comprend une ligne de production de plaquettes de 8 pouces.
Cette initiative massive constitue la pierre angulaire de la chaîne d'approvisionnement verticalement intégrée de BYD pour les véhicules électriques (VE), fournissant des puces haute puissance essentielles directement à leurs activités NEV en pleine expansion.
